BSO150N03MD G


Купить BSO150N03MD G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSO150N03MD G
Версия для печати

Технические характеристики BSO150N03MD G

FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 9.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
Power - Max1.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
КорпусPG-DSO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход