AOD606
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 404pF @ 20V |
| Power - Max | 20W, 30W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Корпус | TO-252-4L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1357 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | TOSHIBA | 4 | 392.70 | ||
|
|
2SK1357 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | 9 | 309.60 | |||
 |
 |
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W |
|
74.40 | ||
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ, НАРОДНО- |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INFINEON |
|
|
|
|
|
M54640P | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
M54640P |
|
11.40 | |||||
|
|
NTD20P06LG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
NTD20P06LG | ONS |
|
|
||||
|
|
NTD20P06LG |
|
108.00 | |||||
|
|
S21ME4 | SHARP |
|
|
||||
|
|
S21ME4 |
|
113.80 | |||||
|
|
S21ME4 | Sharp Microelectronics |
|
|
||||
|
|
S21ME4 | ФИНЛЯНДИЯ |
|
|
