IRL6372PBF
|
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
