FDG6318P


Купить FDG6318P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG6318P
Версия для печати

Технические характеристики FDG6318P

Rds On (Max) @ Id, Vgs780 mOhm @ 500mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C500mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds83pF @ 10V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход