US6M1TR
|
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
|
Версия для печати
Технические характеристики US6M1TR
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.4A, 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TUMT6 |
| Корпус | TUMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
