FDS9945
60v n-channel powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 420pF @ 30V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | SO-8 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS9945 (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 8Э12 25А 27В |
|
676.00 | ||||||
 |
 |
FSDM0565RBWDTU |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FSDM0565RBWDTU |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W |
|
228.00 | ||
|
|
|
FSDM0565RBWDTU |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FSDM0565RBWDTU |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | FAIRCHILD |
|
|
|
| HM15 |
|
Кожух для разъема | HSUAN MAO |
|
|
|||
 |
РПС34А 239 |
|
реле РПС34А; РПС34А 239 |
|
438.96 | |||
 |
РЭК28 007.01 |
|
реле промежуточное РЭК28Т; РЭК28 007.01 | 132 | 72.58 |
