FDC6303N


Digital fet, dual n-channel

Купить FDC6303N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDC6303N
Версия для печати

Технические характеристики FDC6303N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C680mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус6-SSOT
Product Change NotificationDesign/Process Change Notification 11/May/2007 Mold Compound Change 0
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC6303N (Мощные полевые МОП транзисторы)

Digital FET, Dual N-Channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDC6303N datasheet
75.21Kb
4стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход