US1G-E3/5AT

DIODE 1A 400V 50NS UF SMD

Версия для печати

Технические характеристики US1G-E3/5AT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	DO-214AC (SMA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

US1G-E3/5AT datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.063ВТ 0603 0 ОМ, 5%		ТАЙВАНЬ
IRGS4065PBF		International Rectifier
L-103GDT	Единичный светодиод	KB
L-103GDT	Единичный светодиод	KINGBRIGHT
L-103GDT	Единичный светодиод			6.52
L-103GDT	Единичный светодиод	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L-103GDT	Единичный светодиод	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-103GDT	Единичный светодиод	КИТАЙ
L-103GDT	Единичный светодиод	KGB	573	7.26
L-103IDT	Единичный светодиод	KB
L-103IDT	Единичный светодиод	KINGBRIGHT
L-103IDT	Единичный светодиод			6.92
L-103IDT	Единичный светодиод	КИТАЙ
L-103IDT	Единичный светодиод	KGB
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)		5 240	19.37
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS	55	33.76
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ON SEMICONDUCTOR
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	ONS-FAIR
NCP1117ST33T3G	Линейный СН ``low drop`` (Vinmax=20V, Vout=3.3V, tol=1%, I=1.0A)	4-7 НЕДЕЛЬ