Версия для печати
Технические характеристики KBP210G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Current - DC Forward (If)	2A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	KBP
Корпус	KBP

KBP210G datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-1623788-6			TE Connectivity
		1-1623788-6			TECONN
		1-1623788-6
		BYG21M-E3/TR		Диод, DO214	VISHAY	6	22.83
		BYG21M-E3/TR		Диод, DO214	Vishay/General Semiconductor
		BYG21M-E3/TR		Диод, DO214			62.80
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		66 996	3.38
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	424
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	17
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	29 753	6.27
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	17 332
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	9 324	4.19
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	13.32
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	7 267	13.82
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	28 884	5.63
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	24 000	3.50
		FE1.1S			TERMINUS
		FE1.1S
		SH400M0022B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В	YAGEO
		SH400M0022B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH400M0022B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH400M0022B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"