MJ15024G
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, P=250W, -65 to +150C).
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 8A, 4V |
| Power - Max | 250W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4919 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N4919 | ON SEMICONDUCTOR | 6 826 |
|
|||||
| 470МКФ 50 (13X21)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W | ONS |
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W |
|
809.20 | ||
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W | ISC |
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
 |
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 13 | 127.50 | ||
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | |
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | |
| КТ8158В |
|
|
||||||
| КТ8158В | МИНСК |
|
|
|||||
| КТ8158В |
|
|
