Версия для печати
Технические характеристики MF-R005-0

Корпус (размер)	Radial
Time to Trip	5s
Current - Trip (It)	100mA
Current - Hold (Ih) (Max)	50mA
Current - Max	40A
Voltage - Max	60V
Серия	MF-R
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
R Min/Max	7.300 ~ 11.10 Ohm

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

Самовосстанавливающиеся предохранители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2267			TOSHIBA
		2SK2267					865.20
		2SK2267			TOS	12	1 005.53
		EFUSE LP60-005F			WAYON
		EFUSE LP60-005F			КИТАЙ
		EFUSE LP60-005F
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...	RAMTRON
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...	RAM
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...		103	540.54
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...	RAMTRON INTERNATIONAL CORP
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...	1
		FM24C256-G		Ферроэлектрическая энергонезависимая память FRAM, 32Кбайт, I2C до 1 МГц, 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	387	96.68
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		597	88.73
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	390	76.16
		IRFP064N		Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 007	56.10
		SS19T			HONEYWELL
		SS19T					122.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"