|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
AMSI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
|
|
30.00
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YOUTAI
|
44 797
|
3.90
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
YONGYUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
FULIHAO TECH
|
|
|
|
|
|
AMS1117-3.3 |
|
ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
|
SLKOR
|
4 500
|
4.14
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
2.16
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1
|
1.92
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONS
|
8 800
|
2.05
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LQH32CN470K23L |
|
Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN470K23L |
|
Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%
|
MURATA
|
902
|
13.78
|
|
|
|
LQH32CN470K23L |
|
Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%
|
|
16
|
57.88
|
|
|
|
LQH32CN470K23L |
|
Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQH32CN470K23L |
|
Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%
|
MUR
|
20 736
|
9.07
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
MUR
|
10
|
10.87
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
|
|
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
MURATA
|
3
|
6.89
|
|
|
|
TECAP 2.2/35V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 2.2 мкФ 35 В
|
VISHAY
|
|
|
|