Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Температурный коэфициент | X7R |
Допуск емкости | ±10% |
Номинальное постоянное напряжение | 16 В |
Тип диэлектрика | X7R |
Номинальное напряжение | 16 В |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Tin Plated Layer | |
Размер | 1.0x0.5x0.5 |
Емкость | 1000 пФ |
Серия | GRM |
Корпус (размер) | 0402 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Тип | Керамический |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Допустимые отклонения емкости | ±10% |
Tolerance | ±10% |
Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
Сфера применения | General Purpose |
Size / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Thickness | 0.022" (0.55mm) |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC110N06NS3G | INFINEON | |||||||
BSC110N06NS3G | INFINEON | |||||||
BSC110N06NS3G | ||||||||
GR443QR73D222KW01L | Murata Electronics North America | |||||||
GR443QR73D222KW01L | ||||||||
GR443QR73D222KW01L | MUR | 6 140 | 13.52 | |||||
GR443QR73D222KW01L | MURATA | 152 | 43.30 | |||||
RC0603FR-073K09 | YAGEO | |||||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | 152 | 249.26 | ||||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | |||||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICRO CHIP | |||||||
SST25VF016B-50-4I-S2AF | SILICON STORAGE TECHNOLOGY | |||||||
XC3S50A-4VQG100I | XILINX | |||||||
XC3S50A-4VQG100I | Xilinx Inc | |||||||
XC3S50A-4VQG100I | ||||||||
XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|