Версия для печати
Технические характеристики SI2309CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	345 mOhm @ 1.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 30V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	6.63
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	11 231	2.48
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		96 800	1.70  >100 шт.   0.85
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC	11 684	1.79
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	17 238
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	10 532
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	514
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 020
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	9 119	1.97
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT	27	3.58
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.54
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG	362	2.11
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	75 491	1.52
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	127 200	1.26
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	10 008	2.22
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	132 473	1.85
		LG200M1500BPF-3545		Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В	YAGEO
		LG200M1500BPF-3545		Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG200M1500BPF-3545		Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		LG400M0330BPF-3045		Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В	YAGEO
		LG400M0330BPF-3045		Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В	YAGEO	103
		LG400M0330BPF-3045		Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG400M0330BPF-3045		Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		LG400M0330BPF-3045		Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 400 В
		MCP6002T-I/SN			MICRO CHIP	880	76.75
		MCP6002T-I/SN				590	22.45
		MCP6002T-I/SN			MICRO CHIP	8 508
		MCP6002T-I/SN			Microchip Technology
		MCP6002T-I/SN			FULIHAO TECH
		MCP6002T-I/SN			1
		SH100M0470B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В	YAGEO
		SH100M0470B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH100M0470B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"