STW3N150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW3N150		538.08

Версия для печати

Технические характеристики STW3N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 1.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	939pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW3N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247

Производитель:
STMicroelectronics

STW3N150 datasheet
475.4 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3679	Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 100W, 6MHz	SANKEN
2SC3679	Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 100W, 6MHz	SK
2SC3679	Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 100W, 6MHz		6	122.40
GT50JR22			3	334.80
GT50JR22		TOS	1 581	160.31
GT50JR22		1
КЛЕММНИК (222-412) (5ШТ./УП.)			3 668	56.10
КЛЕММНИК (224-111)			312	12.01
КЛЕММНИК (224-111)			312	12.01
ППБ-15Г-22К 10%				117.60