2SK2608
|
Версия для печати
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Крутизна характеристики S,мА/В | 2600 |
| Корпус | TO220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MIC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FSC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MOTOROLA |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIRCHILD | 1 783 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL SEMICONDUCTOR | 2 158 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MOTOROLA | 847 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DIODES INC. | 1 910 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | Micro Commercial Co |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICROSEMI CORP |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DIOTEC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | 277 | 4.80 | ||
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DC COMPONENTS | 22 848 | 1.30 | |
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MD |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ONS |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MASTER INSTRUMENT | 532 | 6.12 | |
 |
1N5398 (1.5A 800V) |
|
|
|||||
| 2N3773G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N3773G | ONS |
|
|
|||||
| 2N3773G |
|
|
||||||
| 2N3773G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ONS |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 216 |
|
|||||
| BAV199LT1G |
|
|
||||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | LRC |
|
|
|||||
 |
|
EM518 | SHANGHAI LUNSURE |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | 12 | 24.00 | ||||
|
|
|
EM518 | GALAXY |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | КИТАЙ |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | DIOTEC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | MIC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | MICRO CHIP |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | GALAXY ME |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | KINGTRONIC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | KINGTRONICS | 4 349 | 1.82 | |||
|
|
|
EM518 | HOTTECH | 89 600 | 2.83 | |||
|
|
|
EM518 | 1 |
|
|
