Ш4.0 КРАСНЫЙ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT136-600E		NXP	5 126	31.80
BT136-600E			2 608	16.49
BT136-600E		PHILIPS
BT136-600E		NXP
BT136-600E		ФИЛИППИНЫ
BT136-600E		NEXPERIA
BT136-600E		MXP
BT136-600E		WEEN
BT136-600E		КИТАЙ	40	41.38
BT136-600E		JSMICRO	2 992	7.98
BT136-600E		WEIDA	19	15.08
BT136-600E		2122
BT136-600E		4286
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА			4.80
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА	ЭЛЕКС
КН102Д			24	113.40
КН102Д		ТОМИЛИНО
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный		3	185.98
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный	ТОМИЛИНО
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			95.04
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	РИГА