SI7686DP-T1


Купить SI7686DP-T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7686DP-T1
Версия для печати

Технические характеристики SI7686DP-T1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1220pF @ 15V
Power - Max37.9W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    ISL6268CAZ-T     INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ISL6268CAZ-T     INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ISL6268CAZ-T       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход