Версия для печати
Технические характеристики FDN304P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1312pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 10K		Резисторы регулировочные однооборотные		11 320	13.87
		16K1 F 10K		Резисторы регулировочные однооборотные	RUICHI
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 791	1.60
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	42 814	2.31
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	15 109	1.67
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	144
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		14 128	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 312
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	68 780	1.70  >100 шт.   0.85
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	1 247 064	1.24
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 920	1.56  >100 шт.   0.78
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	161 641	1.88  >100 шт.   0.94
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.06
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	168 000	1.46  >100 шт.   0.73
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC	844	1.39
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS	594	37.96
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	UTC
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...		1 360	37.96
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	3 305
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	STMicroelectronics
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90	MBI
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90	MACROBLOCK
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90			120.56
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MBI5026GP		Подтип - Драйвер светодиодов , Vin, В - 5 В, Vout, В - 5, I, мА — 90	MACROBLOCK INCORPORATED
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRONICS	4 400	22.88
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...		396	17.51
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	208
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	STMicroelectronics
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRO
		TL072CDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	STMICROELECTR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"