IRLR024Z

Версия для печати

Технические характеристики IRLR024Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	380pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR024Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR024Z datasheet
277.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CDRH125NP-221MC		SUMIDA	3 167	64.79
CDRH125NP-221MC				86.00
CDRH125NP-221MC		SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA	2 311	55.60
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)			124.00
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUM
CDRH127/LDNP-101MC	Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	КИТАЙ	720	108.24
CDRH127NP-331MC		SUMIDA	3 323	73.84
CDRH127NP-331MC				80.00
CDRH127NP-331MC		SUMIDA
CDRH127NP-331MC		SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	JOYIN
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А			17.24
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
JNR13S500L	Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
NTD24N06LG		ON SEMICONDUCTOR
NTD24N06LG		ONS
NTD24N06LG