STTH1002CB-TR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT29C512-120TC | ATMEL |
|
|
|||||
| AT29C512-120TC |
|
|
||||||
 |
AT89C51-20PI | ATMEL |
|
|
||||
|
|
AT89C51-20PI | 1 | 475.20 | |||||
| RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS |
|
|
|||||
| RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS INC. | 855 |
|
|||||
| RSMF1JT1R00 | Stackpole Electronics Inc |
|
|
|||||
| RSMF1JT1R00 |
|
|
||||||
 |
 |
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WINBOND | 344 | 639.60 | |
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WIN |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | Winbond Electronics |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
|
||
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | NO NAME |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
141.80 | ||
| W27E010-12 | WINBOND |
|
|
|||||
| W27E010-12 | WINBOND |
|
|
