NTD20N03L27T4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTD20N03L27T4G (ON SEMICONDUCTOR.)	324	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTD20N03L27T4G

Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1260pF @ 25V
Power - Max	1.75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.