FQB55N10


100v n-channel mosfet

Купить FQB55N10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQB55N10
Версия для печати

Технические характеристики FQB55N10

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 27.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2730pF @ 25V
Power - Max3.75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQB55N10 (MOSFET)

100V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQB55N10 datasheet
201.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1000МКФ 50 (13X21)105°C       Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5200+2SA1943 ПАРА Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    5 W 0.27 OHM     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    5 W 0.27 OHM     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
AT93C66-10PC-2.7   Atmel Заказ радиодеталей цена радиодетали
AT93C66-10PC-2.7     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    OB2269CP       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    OB2269CP     ON-BRIGHT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    OB2269CP       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход