К73- 9 100 В 4700 ПФ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 100K	Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		2 199	13.49
16K1 F 100K	Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI
ГТ402В			40	108.00
ГТ402В		БРЯНСК
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.		2 717	20.40
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	НЗПП
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ДНЕПР	423	6.00
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХАБАРОВСК	255	6.00
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХЕРСОН	9 082	6.00
К73-17-250-0.01 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В			7.08
К73-17-250-0.01 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В	SUNTAN
К73-17-250-0.01 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В	КИТАЙ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 916	31.68
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	30.60
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 932	32.00
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР