MJ21194
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 8A, 5V |
| Power - Max | 250W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJ21193 (Мощные биполярные транзисторы) 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts Также в этом файле: MJ21194
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ECAP 220/50V 1012 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 50В | YAGEO |
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/50V 1012 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 50В |
|
|
||
|
|
MAC9D | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MAC9D | ON SEMICONDUCTOR | 1 324 |
|
||||
| MMBT5087LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT5087LT1 |
|
|
||||||
| MMBT5087LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 104 |
|
|||||
| MMBT5087LT1 |
|
|
||||||
| MMBT5087LT1 | ONS | 1 | 6.30 | |||||
| SN100M0010A5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
| SN100M0010A5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В |
|
|
||||
 |
ПЛК-9Э-55 |
|
Ламповая панель для вставления электровакуумных приборов в радиоэлектронной аппаратуре | 202 | 85.00 |
