Версия для печати
Технические характеристики К50-24-63-470

Тип	Электролитический алюминиевый
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Axial
Серия	К50-24
Емкость	470 мкФ
Номинальное напряжение	63 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	MICRO CHIP	8	821.10
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C			501.28
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	Microchip Technology
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		К73-17-630-0.068 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В		51	12.80
		К73-17-630-0.068 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В	SUNTAN
		К73-17-630-0.068 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В	КЗК
		К73-17-630-0.068 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В	КИТАЙ
		К73-17-630-0.068 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В	ПРОМТЕХКЗК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		12 488	10.50
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	10 629	9.10
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	20.40
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	4 720	24.60
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения		12	26.40
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	РИГА
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	МСХ1
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ЛАТВИЯ
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	RUS
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА РИГА	520	57.07
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА
		КР1006ВИ1		Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 600	12.25
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	800	13.26
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	4 029	11.40
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 340	8.48

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"