LQW2BHN3N3D03L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQW2BHN3N3D03L (MURATA.)	1 332	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84-C3V0		NXP
BZX84-C3V0		PHILIPS
BZX84-C3V0		NXP	5 516
BZX84-C3V0		PHILIPS	23 737
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...			123.48
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	14
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	КИТАЙ
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INFINEON
LM2662M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2662M		NSC
LM2662M				203.32
LM2662M		NATIONAL SEMICONDUCTOR	28
LM2662M		TEXAS INSTRUMENTS
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
БТП 211-24У3-24В