SI4800BDY-T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4800BDY-T1 (SILICONIX.)	313	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4800BDY-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 5V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.