SI4420DY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4420DY (FAIRCHILD.)	230	3-4 недели Цена по запросу
SI4420DY (SILICONIX.)	34	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4420DY

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 12.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	53nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4420DY (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

SI4420DY datasheet
114.3 Кб