PSMN070-200P


N-канальный trenchmos™ транзистор

Купить PSMN070-200P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PSMN070-200P
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PSMN070-200P (NXP.) 32 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN070-200P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4570pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN070-200P (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

PSMN070-200P datasheet
151.01Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход