PSMN070-200P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN070-200P (NXP.)	32	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN070-200P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	77nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4570pF @ 25V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN070-200P (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PSMN070-200P datasheet
151.01Kb
12стр.