PSMN005-55B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN005-55B (PHILIPS.)	100	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN005-55B

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	103nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN005-55B (MOSFET)

N-channel logic level TrenchMOS (tm) transistor

Производитель:
NXP

PSMN005-55B datasheet
120.8 Кб