PHX9NQ20T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHX9NQ20T (NXP.)	84 464	3-4 недели Цена по запросу
PHX9NQ20T (PHILIPS.)	85	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHX9NQ20T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	959pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Isolated Tab
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHX9NQ20T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHX9NQ20T datasheet
113.3 Кб