Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Power - Max | 250mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
760 962
|
1.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
65 946
|
2.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
301
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
5 333
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
89 699
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
596
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
1 920
|
1.74
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
235 200
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 663 664
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
787 060
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
152 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
267 690
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
53 600
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 240
|
1.60
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEX-NXP
|
18
|
1.93
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
|
|
|
|
|
|
DDTA144ECA-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DDTA144ECA-7 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DDTA144ECA-7 |
|
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
DDTA144ECA-7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
6 172
|
9.78
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
|
170
|
9.45
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
548
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LF
|
4 678
|
14.00
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
EIC
|
4
|
15.40
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
JJM
|
18 258
|
8.33
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KLS
|
7 839
|
8.62
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
9 034
|
3.60
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YJ
|
43 264
|
4.34
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
VISHAY
|
39 200
|
8.26
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TRR
|
2 400
|
3.05
|
|