PBSS4160DPN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4160DPN		52.00
PBSS4160DPN (NXP.)	424	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4160DPN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Power - Max	420mW
Frequency - Transition	220MHz, 185MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS4160DPN (Биполярные транзисторы)

60 V, 1A NPN / PNP low VCEsat (BISS) transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS4160DPN datasheet
122.82Kb
14стр.