|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
|
1
|
396.00
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
297
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
|
|
33.20
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT93C46DN-SH-B |
|
ИМС Микропроцессор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
57
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
21 335
|
1.56
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.78
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
338 042
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
17 285
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
6 027
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
116 610
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
62 400
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
184 187
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
160
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
840
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
246 080
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 900
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
17 654
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
16 810
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
792
|
1.29
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
KEEN SIDE
|
12 252
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
|
|
83.48
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM567CM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
32
|
|
|