NTHD4401PT1G
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHD4401P (Мощные полевые МОП транзисторы) Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETt Также в этом файле: NTHD4401PT1G
Производитель:
|
