NTD110N02R-001G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3440pF @ 20V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
