NTB60N06T4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTB60N06T4G (ON SEMICONDUCTOR.)	89	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTB60N06T4G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 30A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3220pF @ 25V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.