NDS8435A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NDS8435A (FAIRCHILD.)	948	3-4 недели Цена по запросу
NDS8435A (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	1 065	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NDS8435A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1800pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NDS8435A (Полевые ДМОП транзисторы)

Single P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

NDS8435A datasheet
331.2Kb
10стр.