NDC652P
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPSH-3A | CENTRAL SEMI |
|
|
|||||
| CMPSH-3A | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | 1 688 |
|
