MUN5232T1G


Купить MUN5232T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MUN5232T1G
Версия для печати

Технические характеристики MUN5232T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max202mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MUN52xxT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

Также в этом файле: MUN5232T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MUN5232T1G datasheet
139.09Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход