MTD6N20E


Power mosfet 6 amps, 200 volts n?channel dpak

Купить MTD6N20E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MTD6N20E
Версия для печати

Технические характеристики MTD6N20E

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
Power - Max1.75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MTD6N20E (MOSFET)

Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?Channel DPAK

Производитель:
ON Semiconductor

MTD6N20E datasheet
84.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход