MMFT2N02ELT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 800mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 580pF @ 15V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
