MMBTA13


Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=1.2A, P=350mW, B>5000@I=10mA, f=125MHz, -55 to +150C)

Купить MMBTA13 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MMBTA13
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MMBTA13 (FAIRCHILD.) 804 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBTA13

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Power - Max350mW
Frequency - Transition125MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

UTCMMBTA13 (Биполярные транзисторы)

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Производитель:
Unisonic Technologies
//www.utc-ic.com

MMBTA13 datasheet
83.44Kb
3стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход