MMBT2907AWT1


Купить MMBT2907AWT1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MMBT2907AWT1
Версия для печати

Технические характеристики MMBT2907AWT1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Power - Max150mW
Frequency - Transition200MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
Product Change NotificationProduct Discontinuation 27/Jun/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT2907AWT1G

General Purpose Transistor PNP Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT2907AWT1 datasheet
38.65Kb
4стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход