MBT3906DW1T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBT3906DW1T1 (ON SEMICONDUCTOR.)	1 803	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MBT3906DW1T1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150mW
Frequency - Transition	250MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363
Product Change Notification	EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Wire Change 08/Jun

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBT3906DW1T1

Dual General Purpose Transistor

Также в этом файле: MBT3906DW1T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MBT3906DW1T1 datasheet
104.53Kb
6стр.