MB8S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MB8S (FAIRCHILD.)	665	3-4 недели Цена по запросу
MB8S (YJ)	77 292	1.97
MB8S (DIOTEC)	232	4.92
MB8S (MIC)	3 057	3.38
MB8S (GALAXY ME)	10 060	8.72
MB8S (KINGTRONICS)	2 562	8.86
MB8S (DC COMPONENTS)	2 299	1.64
MB8S (ONS-FAIR)	299	6.51
MB8S (SEP)	3 535	1.39
MB8S (HOTTECH)	16 800	1.97

Версия для печати

Технические характеристики MB8S

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBxS

0.5 Ampere Glass Passivated Bridge Rectifiers

Также в этом файле: MB8S

Производитель:
Fairchild Semiconductor
http://www.fairchildsemi.com

MB8S datasheet
142.92Kb
3стр.

Синонимы от поставщиков: MB8S ; MB-8S ; MB 8S ; MB — 8S ; MB8S ; диод MB8S ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		14	16.50
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC	254	8.84
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC	53	20.27
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	1 262	12.62
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
LQG18HN22NJ00D		MUR	900	4.26
LQG18HN22NJ00D
LQG18HN22NJ00D		MURATA	4 812	5.99
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц	MUR	42 573	3.29
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц	MURATA	6 176	4.92