Версия для печати
Технические характеристики LM358M

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	800µA
Напряжение входного смещения	2900µV
Ток - входного смещения	45nA
Скорость нарастания выходного напряжения	0.3 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM358M datasheet 1004.69Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	179	11.16
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	825	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	13 926	5.97
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	VISHAY
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)			20.40
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	Vishay/Semiconductors
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	КИТАЙ
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	HOTTECH	5 405	8.27
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	WUXI XUYANG
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	SMCMICRO	2 283	8.55
		15MQ040N		Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C)	LGE	64 971	7.06
		FDD03-12D4		DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9...36В, выход 5В/+250мА, изоляция 1500В DC, ...	CHINFA
		FDD03-12D4		DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9...36В, выход 5В/+250мА, изоляция 1500В DC, ...			1 200.00
		IR2011S		SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2011S		SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)			262.16
		IR2011S		SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)	МАЛАЙЗИЯ
		IR2011S		SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)	INFINEON
		IR2011S		SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)	4-7 НЕДЕЛЬ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	5 461	15.61
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C			399.24
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"