IRFBC30AS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC30AS	1	140.40

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30AS

Корпус	D2PAK
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	74W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC30AS (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=2.2ohm, Id=3.6A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBC30AS datasheet
148.13Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		194	4.20
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	12 776	4.00
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	1 000	12.24
AD8601DRTZ-R2		ANALOG DEVICES
AD8601DRTZ-R2				77.60
AD8601DRTZ-R2		ANALOG DEVICES
VS-90SQ045		VISHAY
YX1000A (MF110)	Мультиметр стрелочный			240.00
КР142ЕН22Б				152.20
КР142ЕН22Б		МИКРОН