IRF7811AVPBF


Транзистор N-канальный MOSFET 30V 14A 3

Купить IRF7811AVPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7811AVPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF7811AVPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10.8A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1801pF @ 10V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход